[发明专利]基于肖特基-欧姆混合漏电极的单片异质集成Cascode晶体管及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于肖特基‑欧姆混合漏电极的单片异质集成Cascode晶体管，主要解决现有单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管击穿特性较差的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)和SiN隔离层(4)，该SiN隔离层的中间刻有隔离槽(15)；隔离槽的一侧印制有Si有源层(5)，以制备Si金属氧化物半导体场效应晶体管；隔离槽的另一侧制备GaN高电子迁移率晶体管，第二漏电极(8)部分区域与AlGaN势垒层形成欧姆接触，剩余区域与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明提升了单片异质集成的Cascode结构场效应晶体管的击穿特性，可用于高压电源开关。