[发明专利]一种基于PZT的忆阻器件、其制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010742267.3 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112018236A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张缪城;秦琦;童祎;孟宇泰;王伊婕 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PZT的忆阻器件，设置在衬底上，忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层为铁电材料PZT层，顶电极为活性金属层，底电极为惰性金属层；顶电极通过掩膜板的开孔溅射在阻变层的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接，本发明导电性和稳定性佳，阻态更稳定，具有明显的人脑突触特性，可用于多值存储、类脑系统构建，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pzt 器件 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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