[发明专利]一种原位控制法制备过渡金属硫属化物平面异质结的方法

摘要

本发明公开了一种原位控制法制备过渡金属硫属化物平面异质结的方法，属于二维半导体材料技术领域。本发明利用目前公认的最有效生长的化学气相沉积法制备过渡金属硫属化物平面异质结，相比现有的两步法生长，本发明使用钼酸铵((NH4)6Mo7O24·4H2O)与钨酸铵((NH4)10W12O41·xH2O)的溶液来作为前驱体，并且通过移动钼源与钨源于衬底的正下方进行沉积，本发明无需人工进行二维材料的二次转移堆叠，重复性好，过程快速高效，连续可控地制备了高质量低成本的平面异质结，避免了交叉污染的问题；并且水溶性前驱体溶液同时具备环保、便宜、稳定和易溶于水等优点。