[发明专利]一种半导体量子点异质结材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体量子点异质结材料及其制备方法。所述材料依次包括衬底，第一层的势垒层，势阱层，第二层的势垒层；所述势阱层的材料为GaAsBi QD，势垒层和衬底的材料均为GaSb。制备方法为：设置Ga源、Bi源、Sb源温度，AsH3源压强；在衬底上长一层势垒层；关闭Sb源，打开Ga源、Bi源和AsH3源，生长势阱层；关闭Ga源、Bi源和AsH3源，升温至550‑700℃，在势阱层上生长一层势垒层；将温度降至室温，生长结束。本发明通过在GaSb上生长GaAsBi量子点，形成异质结结构，通过调节Bi组分和量子点尺寸，可获得覆盖全红外光谱区域的材料。