[发明专利]一种用于氧传感器芯片的绝缘层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010729344.1 申请日: 2020-07-27
公开(公告)号: CN111855747A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 谢光远;王晓宁;陈存华;张宇明;邱电荣 申请(专利权)人: 江苏联电电子科技有限公司
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00
代理公司: 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 代理人: 吴海燕
地址: 223900 江苏省宿*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于氧传感器芯片的绝缘层及其制备方法,包括包括加热电极,所述加热电极与引脚相连接,且加热电极外部设置有流延绝缘片,所述流延绝缘片外部设置有流延基片,加热电极上下均设有流延绝缘片和流延基片,氧化铝粉和溶剂粒度小于1um,该用于氧传感器芯片的绝缘层制备方法,制作含有绝缘功能料的流延片,与上下基片预叠合,然后直接在预叠合的基片上印刷加热电极,这样的好处是烧成之后的加热电阻稳定性和一致性提高,同时因为是整体一层绝缘。
搜索关键词: 一种 用于 传感器 芯片 绝缘 及其 制备 方法
【主权项】:
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