[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010719304.9 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112002634A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陆霄宇;齐瑞生;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11568;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，由于通过对半导体衬底内的有源区的顶部拐角进行圆化处理，从而使形成在所述圆化处理后的所述有源区上的ONO堆叠结构的拐角的形状为圆弧，且所述有源区拐角上的隧穿氧化层厚度和其他区域的隧穿氧化层厚度基本相同，从而避免了在对相应的存储单元施加编程电压/擦除电压时，在有源区的拐角处发生尖端放电现象的问题，由此使得有源区的拐角处的电场强和其他正常区域相近，且在存储数据时有源区拐角处的隧穿介质层和有源区其他区域的隧穿介质层遇到基本相同的电子/空穴隧穿情况，避免造成该处存储单元的ONO叠层结构存储的电子/空穴容易丢失的问题，进而改善了最终形成的半导体存储器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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