[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010717794.9 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111864022B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 郑宏;张东炎;汤国梁;李慧文;金超;潘冠甫;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/24;H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件，包括半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；所述第二导电型半导体层侧壁的粗糙度大于活性层侧壁的粗糙度。本发明通过两步蚀刻法对所述半导体外延叠层的侧壁进行分段蚀刻，可有效改善侧壁粗化引起的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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