[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010709013.1 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112447607A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 赤羽隆章 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在基于本实施方式的半导体装置的制造方法中，按照使设置于第1半导体芯片上的多个第1金属端子与设置于第2半导体芯片上且被氧化膜覆盖的多个第2金属端子彼此相接触的方式将第1及第2半导体芯片层叠。执行下述第1工序：在不导入将氧化膜还原的还原气体的情况下，以第2金属端子的熔点以上的第1温度将第1及第2半导体芯片进行热处理。执行下述第2工序：导入还原气体，以使该还原气体活化的温度以上且第2金属端子的熔点以下的第2温度将第1及第2半导体芯片进行热处理。执行下述第3工序：以第2金属端子的熔点以上的第3温度将第1及第2半导体芯片进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
