[发明专利]一种混色的外延结构及制作方法

摘要

一种混色的外延结构及制作方法，该结构包括依次生长的基层、缓冲层、第一发光层、超晶格结构的过渡层和第二发光层；其中所述过渡层包括循环堆叠的GaN层、InxGa(1‑x)N及AlyInzGa(1‑y‑z)N层，GaN层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐增大，InxGa(1‑x)N层和AlyInzGa(1‑y‑z)N层的厚度随着循环堆叠的周期数增大而逐渐减小。区别于现有技术，上述技术方案通过设置超晶格层中循环堆叠的InxGa(1‑x)N层和AlyInzGa(1‑y‑z)N层的厚度，增强电子迁移率，最终实现增强电流的技术效果。