[发明专利]一种三维存储器件及其制造方法

摘要

本公开提供一种三维存储器件及其制造方法，其中，所述三维存储器件，包括：衬底；堆叠体，包括位于所述衬底正面上交错布置的导电层和电介质层；沟道结构，垂直穿过所述堆叠体，延伸至所述衬底内；栅极线狭缝，垂直穿过所述堆叠体，连接到所述衬底正面上；阵列公共源极，位于栅极线狭缝侧壁上与堆叠体接触；拾取区，位于衬底背面与所述阵列公共源极相对应的位置，所述拾取区内具有导电材料。本方案通过在晶圆背面形成阵列公共源极的拾取区，不但可以避免拾取区占用存储器的存储空间，还可以避免阵列公共源极字线暴露的风险。