[发明专利]一种导电氧化物等离激元纳米光学天线及其制备方法有效
| 申请号： | 202010698246.6 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111807315B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈一仁;张志伟;宋航;缪国庆;蒋红;李志明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王洋 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种导电氧化物等离激元纳米光学天线的制备方法，其特征在于，包括：对异质外延的半导体材料进行表面处理；将表面处理后的异质外延的半导体材料与混合物水溶液混合，反应，螺位错诱导自组装生长得到AZO纳米柱；所述混合物包括硝酸铝、硝酸锌金属盐和环六亚甲基四胺；将所述AZO纳米柱在退火处理，得到导电氧化物等离激元纳米光学天线。本发明采用导电氧化物纳米柱实现近红外光耦合的等离激元纳米光学天线的方法，提出利用半导体自身螺位错缺陷诱导的水热生长方法在半导体材料表面制备导电氧化物纳米柱作为等离激元纳米光学天线，能够在非红外材料上实现近红外探测、近红外探测波长可调兼顾对异质外延的半导体材料具有缺陷钝化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 氧化物 离激元 纳米 光学 天线 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010698246.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
