[发明专利]一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法有效
申请号: | 202010697339.7 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN112018213B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 李彩琼;赵俊凤;刘文文;赵志国;史丹丹;史先利;董晓燕;余鑫祥;戴菡 | 申请(专利权)人: | 烟台南山学院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;G01N21/65 |
代理公司: | 烟台智宇知识产权事务所(特殊普通合伙) 37230 | 代理人: | 李增发 |
地址: | 265713 山东省烟台市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法,在硅片表面腐蚀出大量纳米尺度的腐蚀孔;将Au蒸镀于硅片表面,进一步通过退火在刻蚀孔内Au‑Si界面处形成大规模的Au‑Si二元合金焊接点作为纳米尺寸的夹持端;通过机械分离,在Au箔与Si表面制备Au纳米锥。该结构显著的提升了Au纳米锥与基底的结合力,为提高SERS探测器、以及太阳能电池的器件稳定性以及使用寿命提供新的技术手段。本发明的设计与制备工艺无特殊条件要求、操作容易、设备要求简单,特别适合商业化大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基底 表面 具有 粘附 直立 au 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的