[发明专利]沟槽栅器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010695546.9 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111883515A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 赵龙杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽栅器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该沟槽栅器件至少包括形成有超级结结构的衬底、形成于衬底中的沟槽栅结构、位于衬底表面的层间介质层；沟槽栅结构包括覆盖沟槽底部和侧壁的栅介质层、位于栅介质层内侧的多晶硅栅、位于多晶硅栅内侧的中间介质层、位于中间介质层内侧的辅助多晶硅层；在衬底中，沟槽栅结构的外侧形成有源区；层间介质层中形成有接触孔，多晶硅栅、辅助多晶硅层、源区分别通过接触孔引出；引出的辅助多晶硅层与引出的源区连接；解决了目前带有超级结结构的沟槽栅器件容易受到电磁干扰影响的问题；达到了降低电磁干扰对具有超级结结构的沟槽栅器件性能的影响的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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