[发明专利]隔离的垂直纳米线在审
| 申请号： | 202010691572.4 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112466816A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | G·西布罗特;S·鲍多特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;张佳鑫 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在纳米线中至少一个位置上电隔离垂直纳米线(210)的方法(100)。该方法包括设置(110)基材(200)，在基材(200)上形成(120)垂直纳米线堆叠。该堆叠包括至少一个第一材料纳米线段(211)。在垂直纳米线堆叠中的至少一个位置上设置第二材料牺牲段(212)。选择第二材料，使得可以相对于第一材料选择性地将其去除。此外，该方法包括对于应被隔离的所述至少一个纳米线段(211)创建(130)至少一个互连(214)，在创建互连(214)之后去除(140)所述至少一个牺牲段(212)并用隔离段(213)代替它。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 垂直 纳米 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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