[发明专利]集成电路器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010690879.2 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242381A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 余振华;黄子芸;何明哲;郭宏瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，集成电路器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂；以及再分布结构，再分布结构包括：位于密封剂和集成电路管芯上方的多个介电层；以及位于介电层中的多个金属化图案，该金属化图案电连接至集成电路管芯；以及位于介电层中的密封环，该密封环围绕金属化图案延伸，该密封环与金属化图案和集成电路管芯电隔离，该密封环包括多个密封环层，每个密封环层包括延伸穿过相应的一个介电层的通孔部分，每个密封环层的通孔部分沿着同一共用轴线对准。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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