[发明专利]基于含金属空位的二维材料的离子传导膜及其制备方法有效
| 申请号: | 202010687242.8 | 申请日: | 2020-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN114014285B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
| 发明(设计)人: | 任文才;钱希堂;陈龙;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号: | C01B25/14 | 分类号: | C01B25/14;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M8/0228 |
| 代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
| 地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 本发明属于离子传导膜领域,具体涉及一种基于含金属空位的二维材料的离子传导膜及其制备方法。该二维材料通过离子交换插层过渡金属硫磷化物块体获得,通过层层叠加组装形成层状膜,利用过渡族金属空位吸附的离子易于脱附、薄膜润湿性好、低湿度下的保水性等特点,结合二维材料自组装膜规则的纳米通道和强毛细管作用力可促进离子和水分子快速传输的优势,获得了在大范围相对湿度和温度环境下具有超高质子、锂离子传输率的离子传导膜。本发明具有制备工艺简单、易于结构调控和规模放大的特点,为二维材料在燃料电池、质子传导膜电解槽、锂离子电池、锂硫电池、钠离子电池等能量转化和存储器件中的应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 金属 空位 二维 材料 离子 传导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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