[发明专利]基于含金属空位的二维材料的离子传导膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010687242.8 申请日: 2020-07-16
公开(公告)号: CN114014285B 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 任文才;钱希堂;陈龙;成会明 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C01B25/14 分类号: C01B25/14;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M8/0228
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于离子传导膜领域,具体涉及一种基于含金属空位的二维材料的离子传导膜及其制备方法。该二维材料通过离子交换插层过渡金属硫磷化物块体获得,通过层层叠加组装形成层状膜,利用过渡族金属空位吸附的离子易于脱附、薄膜润湿性好、低湿度下的保水性等特点,结合二维材料自组装膜规则的纳米通道和强毛细管作用力可促进离子和水分子快速传输的优势,获得了在大范围相对湿度和温度环境下具有超高质子、锂离子传输率的离子传导膜。本发明具有制备工艺简单、易于结构调控和规模放大的特点,为二维材料在燃料电池、质子传导膜电解槽、锂离子电池、锂硫电池、钠离子电池等能量转化和存储器件中的应用奠定了基础。
搜索关键词: 基于 金属 空位 二维 材料 离子 传导 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010687242.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top