[发明专利]一种单晶硅基倒金字塔绒面的干湿混合制备方法

摘要

一种单晶硅基倒金字塔绒面的干湿混合制备方法，该方法为先在硅片表面制备一层金属薄膜，然后，通过高温退火使得金属薄膜收缩成金属纳米颗粒，接着，在金属纳米颗粒的化学刻蚀与酸扩孔修饰辅助下在硅片表面制备纳米孔状结构，再接着，使用王水去除硅片表面的金属纳米颗粒，最后，通过碱溶液的各向异性刻蚀作用，在硅片表面制备结构相对均匀、密度较好的倒金字塔结构。该方法能够提高硅片表面纳米粒子分布的均匀性，使得采用金属辅助化学刻蚀方法制备的倒金字塔绒面结构的均匀性、密度更好，尺寸更可控，最终，提高大面积硅倒金字塔绒面的光电性能。