[发明专利]一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202010685817.2 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111908914B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 冯毅龙;吕明;卢振亚;陈炜豪 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622;C04B41/87 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 李唐明 |
| 地址： | 511453 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO |
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| 搜索关键词： | 一种 晶界层 陶瓷材料 陶瓷 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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