[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 202010674845.4 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111739897B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 聂晓辉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 张晓薇 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括衬底、位于该衬底上的遮光层、位于该遮光层上的有源层、及与该遮光层同层设置的平坦化单元；其中，该平坦化单元的厚度与该遮光层的厚度相同。本申请通过在衬底上设置用于消除所述遮光层的边缘台阶的平坦化单元，消除遮光层的台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层材料结晶异常，提高了阵列基板的产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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