[发明专利]MIM电容薄膜及器件在审
| 申请号： | 202010672174.8 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN111696953A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨宏旭;陈华伦;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MIM电容及其形成方法，该电容包括：第一电极层，其包括氮化钽；电容介质层，其形成于第一电极层上；第二电极层，其形成于电容介质层上，第二电极层包括氮化钛。本申请通过在MIM电容的介质层上形成氮化钛层作为顶层电极层，解决了相关技术中将氮化钽层作为顶层电极层由于氮化钽表面应力过大从而导致其形成的顶层电极层会有一定几率出现剥落现象的问题，提高了MIM电容的稳定性和制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 薄膜 器件 | ||
【主权项】：
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