[发明专利]含硅负极片、其制备方法以及由其制作的锂离子二次电池在审
| 申请号： | 202010668673.X | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111710832A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 朱继涛;王晓明;刘勇标;黄士斌;徐强 | 申请（专利权）人： | 江苏卓高新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/66;H01M4/04;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 李雪芹;李维盈 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含硅负极片、其制备方法以及由其制作的锂离子二次电池。所述含硅负极片包含：1)集流体；2)多孔复合层，其位于所述集流体上；以及3)含硅负极材料层，其位于所述多孔复合层上，所述多孔复合层可以设置在集流体的一侧或两侧上，在多孔复合层上设置含硅负极材料层。本发明的含硅负极片中的含硅负极材料与集流体之间的粘接力得到改善，由此，由其制备的锂离子二次电池具有较高的能量密度和较好的循环性能，很好地满足工业化的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 制备 方法 以及 制作 锂离子 二次 电池 | ||
【主权项】：
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