[发明专利]纳米二氧化钛薄膜及制备方法、光电器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010664679.X | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN113921726A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 丘洁龙 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 曹柳 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种纳米二氧化钛薄膜的制备方法，包括步骤：分别获取水蒸汽、醇蒸汽中的至少一种蒸汽和金属有机化合物蒸气；所述金属有机化合物蒸气至少包括钛金属有机化合物蒸气；在第一保护气体氛围下，将所述水蒸汽、醇蒸汽中的至少一种蒸汽与所述金属有机化合物蒸气混合并进行热反应，沉积形成纳米二氧化钛薄膜。本发明制备方法，通过气相原料反应生成气相游离的纳米二氧化钛颗粒，沉积形成薄膜，与基板结合牢固，且形成的薄膜表面致密，膜层均匀性好。另外，通过控制游离的纳米二氧化钛颗粒的沉积时间，可灵活调控形成的纳米二氧化钛薄膜的厚度，操作简单灵活，适应于工业化大规模生产和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化 薄膜 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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