[发明专利]使用埋入式架桥硅穿通孔内连件的半导体封装在审
| 申请号： | 202010661926.0 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN111769093A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使用埋入式架桥硅穿通孔内连件的半导体封装。本发明公开了一种半导体封装，包含：一树脂模塑封装衬底，包含树脂模塑堆芯、多个贯穿树脂模塑堆芯的金属插塞、前侧重分布层结构，以及背侧重分布层结构；一架桥硅穿通孔内连件，埋设于树脂模塑堆芯内，其中架桥硅穿通孔内连件包含一硅基底部、一整体构成在硅基底部上的重分布层结构，以及多个设于硅基底部中的穿硅通孔；一第一半导体芯片及一第二半导体芯片，设于前侧重分布层结构上，其中第一半导体芯片与第二半导体芯片位于共平面。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 埋入 架桥 硅穿通孔内连件 半导体 封装 | ||
【主权项】：
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