[发明专利]一种铟砷锑多晶原料的合成方法有效
| 申请号： | 202010658979.7 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111763988B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 练小正 | 申请（专利权）人： | 进化半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 郑越 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区莲花街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种铟砷锑多晶原料的合成方法，通过设计特定的原料组分、采用特殊的合成装置以及独创的原料合成工艺，成功合成了公斤级的InAs |
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| 搜索关键词： | 一种 铟砷锑 多晶 原料 合成 方法 | ||
【主权项】：
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