[发明专利]一种功率半导体装置有效
| 申请号： | 202010658683.5 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113921603B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王波;刘鹏飞;夏远平;顾孜轶 | 申请（专利权）人： | 华大半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/36;H01L29/06;H01L27/082 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体装置，包括有源区、围绕有源区的终端区以及位于有源区及终端区之间的过渡区，有源区设置有第一半导体器件，过渡区设置有第二半导体器件，其中，第一半导体器件的源极及第二槽部内的导电层与发射极电连接，第一槽部内的导电层及第三槽部内的导电层与栅极电连接，第二半导体器件的源极、第二槽部内的导电层及第二槽部与第三槽部之间的阱区与发射极电连接，第一槽部内的导电层及第三槽部内的导电层与栅极电连接。本发明在器件导通时能够有效提高器件正面存储的空穴浓度，降低导通压降及导通损耗，在器件关断时能够快速释放空穴，降低关断损耗，提高器件的抗闩锁能力，提升器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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