[发明专利]具有气隙的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010655898.1 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112582373A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴智琮 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种具有气隙的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括多个间隔位元线，设置于一基板之上；多个介电柱，设置于该基板之上的所述间隔位元线之间；以及一密封介电层，设置于所述间隔位元线和所述介电柱之上以形成多个气隙于该密封介电层和该基板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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