[发明专利]一种含氮半导体石墨及其制备方法在审
| 申请号： | 202010652054.1 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111986832A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 纪永良;张培林;武建军;柴利春;张作文;王志辉 | 申请（专利权）人： | 大同新成新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/04 | 分类号： | H01B1/04;H01B13/00;C04B28/00;C04B26/00;C04B111/94 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 杨凯;连慧敏 |
| 地址： | 037002 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于含氮半导体石墨制备技术领域，尤其是一种含氮半导体石墨及其制备方法，针对现有技术石墨的制备方式复杂，不具有含氮半导体石墨，且现有的石墨导电性能受到材质不能的局限，导电性能差的问题，现提出如下方案，其包括包括以下成分：氮源10‑20份，石墨40‑50份，镍包碳纤维炭黑2‑4份、金属粉2‑6份、金属纤维3‑6份、碳纤维3‑7份，磷铜粉2‑4份，粘稠剂5‑10份，分散剂3‑6份，防腐剂2‑5份，氮源包括氮气、氮化硅、氮化镁、氮化钙、氮化碳，镍包碳纤维炭黑、金属粉、金属纤维、碳纤维和磷铜粉均具有导电性。本发明制备操作方便，可以制备含氮半导体石墨，可以提高石墨导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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