[发明专利]一种具备非易失性存储可重写性质的共轭高分子存储器件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010651847.1 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111834524B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张斌;赵可嘉;侯杰;贲放;李金勇;孙敬林;樊菲 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人： | 任艳霞 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于有机/高分子信息存储技术领域，具体提供了一种具备非易失性存储可重写性质的共轭高分子存储器件及其制备方法和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种侧链为新型高分子材料PBDT‑BQTPA的薄膜，顶电极为Au。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，其电流‑电压特性曲线表现出极小的开启关闭电压，且开启关闭电压的绝对值大致相同，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具备 非易失性 存储 重写 性质 共轭 高分子 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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