[发明专利]绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010650268.5 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113809165B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈骏盛;方彦程;陈姿含 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法，其中该绝缘栅双极晶体管结构包括基底与第一栅控PNPN二极管。第一栅控PNPN二极管位于基底上。第一栅控PNPN二极管包括第一栅极、第一源极/漏极延伸区与第二源极/漏极延伸区。第一栅极位于基底上。第一源极/漏极延伸区与第二源极/漏极延伸区位于第一栅极两侧的基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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