[发明专利]一种产生相反地磁化的磁结构的方法有效
| 申请号： | 202010649585.5 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN112216508B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·李赛克;费边·罗芬克 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
| 主分类号： | H01F41/16 | 分类号： | H01F41/16;H01F10/12;H01F13/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种在基板材料内或基板材料上产生磁结构的方法。在基板材料内或上生成第一数量的腔，并用表现出第一矫顽场强度的第一硬磁材料填充，从而产生硬磁结构的第一布置。在基板材料内或上产生第二数量的腔，并用表现出小于第一矫顽场强度的第二矫顽场强度的第二硬磁材料填充，从而产生硬磁结构的第二布置。利用第一磁场在第一方向上磁化硬磁结构的第一布置和第二布置，第一磁场表现出超过第一矫顽场强度和第二矫顽场强度的场强度。利用第二磁场在不同于第一方向的第二方向上磁化硬磁结构的第二布置，第二磁场表现出低于第一矫顽场强度但超过第二矫顽场强度的场强度。磁化硬磁结构的第二布置包括将硬磁结构的第一布置和第二布置暴露于第二磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产生 相反地 磁化 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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