[发明专利]基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED，属于半导体技术以及照明技术领域，从下至上依次包括衬底、第一石墨烯层、AlN或GaN层、n‑GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱、第一i‑GaN层、第二石墨烯层、第二i‑GaN层、InyGa1‑yN/GaN多量子阱、第三i‑GaN层、第三石墨烯层、第四i‑GaN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱、第五i‑GaN层、p‑GaN层；还包括n型GaN欧姆接触电极和p型GaN欧姆接触电极。本发明还提供了上述基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED的制备方法，利用石墨烯作为多量子阱层间的缓冲层，利用石墨烯材料层间为范德华力的特性调控层间应力，改善各层晶格失配度大的问题，进而得到低应变程度、低位错密度的外延层，最终得到高质量、高集成度的白光LED器件，制备工艺简单、效果显著、应用前景广阔。