[发明专利]沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010644549.X | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111668289A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陈彦豪 | 申请（专利权）人： | 苏州凤凰芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/04;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底与碳化硅外延体区、第二导电类型体区与材料、沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有多个沟槽，在沟槽的侧面、底面以及第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有肖特基金属层，在对应沟槽底面位置的第一导电类型碳化硅外延体区内设有阶梯形结构的第二导电类型体区，且在从下往上的方向上，第二导电类型体区的宽度呈逐级增大设置。本发明具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗浪涌能力与更好的可靠特性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 碳化硅 jbs 两级 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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