[发明专利]一种高产率低氟含量的少层MXenes纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 202010643819.5 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111704137B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 孙闯;赖超;曲婕 | 申请（专利权）人： | 徐州纳烯新材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/914 | 分类号： | C01B32/914;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B21/06;C01B21/076;C01B21/082;C01B32/921;C01B32/928;C01B32/949 |
| 代理公司： | 西安杜诺匠心专利代理事务所(普通合伙) 61272 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市云龙*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高产率低氟含量的少层MXenes纳米片的制备方法，属于纳米材料技术领域。将聚乙二醇或烷基酚聚氧乙烯醚等含有羟基或活性氧的有机物、MAX、盐酸、氟化锂混合后，在35℃下搅拌处理24小时，水洗至PH为中性离心即可获得低氟含量的少层MXenes纳米片。本发明有效地解决了少层MXenes纳米片制备过程中产率低和氟含量高的一系列问题，同时制备方法简单，价格低廉、可规模化生产，具有实用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高产 率低氟 含量 mxenes 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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