[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010643358.1 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111540673B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 徐金辉;张希山;周立超 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/52;C23C16/56;C23C14/14;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的形成方法。所述形成方法在包括顶金属层的半导体基底上制作富硅氮化硅的过程中，一方面，利用CVD工艺，采用适合的工艺气体反应生成富硅氮化硅作为半导体器件的钝化层，另一方面，为了避免含硅气体残留于顶金属层表面而在后续热处理工艺中与顶金属层反应，通过控制CVD工艺的参数，避免含硅气体残留，可以提高CVD工艺的反应效率，避免CVD反应不充分而导致含硅气体在顶金属层表面聚集，减小含硅气体腐蚀顶金属层而导致顶层金属表面被腐蚀的风险，有助于提升顶金属层的质量以及半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
