[发明专利]一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010642151.2 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN111739939A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王冠宇;刘培培;文剑豪;周春宇;魏进希;宋琦;王巍;肖渝 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 杨柳岸 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区，淀积填充重掺杂的Si材料；在基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si薄层上淀积N+多晶硅作为发射极；在多晶Si发射极层、单晶Si薄层和基区SiGe薄层的两侧覆盖一层Si |
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| 搜索关键词： | 一种 高频 硅锗异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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