[发明专利]一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法有效
申请号: | 202010631672.8 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN111856636B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 刘颖;林达奎;陈火耀;刘正坤;洪义麟 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 顾炜 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法,解决常规近场全息方法不能直接复制及微调掩模线密度及其空间分布的问题。通过微调近场全息曝光参数和引入过渡掩模来实现线密度与初始掩模线密度分布相同或呈一定偏移的一系列线密度分布渐变的变间距光栅掩模。本发明可以有效的微调近场全息变间距光栅位相掩模的线密度分布,由此减少了对电子束光刻制作方法的依赖,降低位相掩模的制作成本,在一定程度上灵活快速地获得具有不同线密度分布的掩模,以满足不同场合的不同需求,是一种十分重要的、低成本的变间距光栅的制作方法。本发明对利用近场全息方法调控光栅线密度空间分布,在此基础上提高高精度变间距光栅的制作质量和效率十分重要。 | ||
搜索关键词: | 一种 间距 光栅 掩模线 密度 分布 可控 微调 方法 | ||
【主权项】:
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