[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010630548.X | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN111952361A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 施宜军;陈思;付志伟;尧彬;陈义强;王之哲 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/47;H01L29/417;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件的两端具有第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为由欧姆接触电极和肖特基接触电极短接构成的混合电极。所述第一电极处的第一肖特基接触电极下方的耗尽区会随着所述第二电极上施加电压的增加而逐步扩展，由于扩展的耗尽区的电阻较大，会限制电流的继续增加。当所述第二电极上施加电压达到膝点电压时，所述半导体器件的输出电流趋于饱和，达到某一固定值。同样地，当所述第一电极上施加电压达到膝点电压时，所述半导体器件的输出电流也趋于饱和。因此，对所述半导体器件施加正向偏置电压或反向偏置电压，所述半导体器件均可输出恒定电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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