[发明专利]一种用于二次离子质谱仪的射频负离子源有效

专利信息
申请号: 202010630437.9 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN111755317B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 孙良亭;金钱玉;李立彬;赵红卫;陈沁闻;周洋 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: H01J49/10 分类号: H01J49/10;H01J49/34
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 李晓红
地址: 730013 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种用于二次离子质谱仪的射频负离子源,包括:离子源源体包括放电腔室以及设置在放电腔室外部的封装磁体,封装磁体包括沿放电腔室的轴向分布的等离子体约束部和偏移磁场生成部;射频注入组件包括气源供给部和射频注入部,气源供给部向所述放电腔室内馈入工作气体,射频注入部安装在所述离子源源体的前端侧,向所述放电腔室内发出射频;离子束引出系统包括由前向后依次布置的等离子体电极、吸极和地电极;等离子体电极、吸极和地电极上分别对应开设有第一引出孔、第二引出孔和第三引出孔,等离子体电极用于对等离子体的状态进行调制;吸极用于初步加速引出的负离子束和吸附电子;地电极用于加速负离子束至目标能量。
搜索关键词: 一种 用于 二次 离子 质谱仪 射频 离子源
【主权项】:
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