[发明专利]可控硅整流器在审
| 申请号： | 202010630301.8 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112185953A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | C·C·鲁斯;G-D·克雷图;F·马格里尼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了可控硅整流器SCR。SCR包括半导体本体，其包括第一主表面和有源器件区。在第一主表面处的第一、第二、第三和第四表面接触区域沿着第一横向方向一个接一个地直接布置。半导体本体在第一至第四表面接触区域中的每个处电接触。SCR还包括第一、第二、第三和第四SCR区。第一和第三SCR区是第一导电类型的并且分别直接邻接第一和第三表面接触区域，并且第二和第四SCR区是第二导电类型的并且分别直接邻接第二和第四表面接触区域。SCR还包括第一导电类型的第一阱区。第二SCR区在第一主表面处与第一阱区至少部分地重叠。第一SCR区在第一主面处与第一阱区至多部分地重叠。第一SCR区电连接到第二SCR区，并且第三SCR区电连接到第四SCR区。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 硅整流器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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