[发明专利]半导体晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010630300.3 | 申请日： | 2020-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112186039A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | T.法伊尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体晶体管器件（1），具有：源极区（2）；本体区（3），其包括竖直沟道区（3.1）；漏极区（4）；栅极区（6），其侧向位于沟道区（3.1）的旁边；通过掺杂形成的本体接触区（7）；扩散阻挡层（20.1）；以及由导电材料形成的导电区（8），其中本体接触区（7）电接触本体区（3），扩散阻挡层（20.1）布置在其之间，并且其中本体接触区（7）的掺杂与本体区（3）的掺杂相比具有相同的导电类型但是具有更高的浓度，并且其中导电区（8）具有接触区（8.1），其形成与本体接触区（7）的电接触，导电区（8）的接触区（8.1）竖直布置在沟道区（3.1）的上端（25.1）上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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