[发明专利]一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010627584.0 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113889559A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吴向龙;徐晓强;闫宝华;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括自下到上依次设置有N型欧姆接触层、介质膜窗口层、制备好的外延片、P型欧姆接触层和P型电极，所述介质膜窗口层上设置有窗口层图案。在n型GaAs衬底和N型欧姆接触层之间设置介质膜形成的介质膜窗口层，介质膜窗口层中无介质膜处可以与n‑GaAs衬底实现良好的欧姆接触，有介质膜处可以阻挡金属与n‑GaAs衬底融合，减少光的吸收，介质膜和N型欧姆接触层可以进一步形成ODR提升反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 红外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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