[发明专利]绝缘体上半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202010627027.9 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113889431A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄河;丁敬秀;向阳辉 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02;H01L21/263;H01L21/265;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘体上半导体结构的制造方法，先通过对第一晶圆进行P型离子注入，形成了第一离子掺杂层，并将所述第一晶圆划分为由基底晶圆层、第一离子掺杂层和表面晶圆层组成的三明治结构，后通过表面晶圆层表面上形成的第一氧化键合层以及第二晶圆表面上形成的第二氧化键合层，将第一晶圆键合到第二晶圆上，之后先去除基底晶圆层，再通过刻蚀工艺去除第一离子掺杂层，从而形成绝缘体上半导体结构。其中第一离子掺杂层的深度和厚度限定了绝缘体上半导体结构的顶层半导体层厚度，且该第一离子掺杂层为腐蚀增强层，能通过刻蚀工艺快速去除且不会对顶层半导体层造成不必要的损伤，以使得顶层半导体层更薄、膜厚更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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