[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备在审
| 申请号： | 202010626309.7 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111799331A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;昝颖;程晓红;李俊杰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备，涉及半导体技术领域。以提供一种技术简单、制作难度小、生产成本低，能够防止纳米线释放时对源漏层的横向腐蚀的半导体器件为目的。该半导体器件包括：环栅晶体管；环栅晶体管包括沟道层以及与沟道层连接的源漏结构；源漏结构包括源漏层和衬垫层，衬垫层形成在源漏层和沟道层之间；衬垫层的材质与沟道层的材质相同；或，衬垫层的材质包含的目标元素的质量百分比与沟道层包含的目标元素的质量百分比差值的绝对值小于第一阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
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