[发明专利]一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法在审
| 申请号： | 202010624191.4 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111799279A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 曾斌建;周益春;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L27/11597;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法，该存储单元包括：栅电极层(4)；所述栅电极层(4)的厚度方向上设置有贯穿的第一通孔(14)；从所述第一通孔(14)的内壁向靠近轴线的方向上，依次覆盖有第一介质层(9)、铁电薄膜层(10)、第二介质层(11)和沟道层(12)；所述第一介质层(9)和第二介质层(11)均为绝缘材质，用于避免所述铁电薄膜层(10)与所述栅电极层(4)和沟道层(12)接触。该存储单元中，铁电薄膜层(10)不与栅电极(4)和沟道层(12)接触，避免了界面反应和元素扩散，从而保证了铁电薄膜层(10)和存储单元的质量和性能，减小了存储器中各存储单元之间的差异性，提高存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 电场 效应 晶体管 存储 单元 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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