[发明专利]发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202010612595.1 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111952419B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。在衬底上生长作为基础的三维成核层时，则先向反应腔内通入Ga源与N源，生长GaN晶粒薄层。关闭Ga源与N源并持续5～60s，同时升高反应腔内的温度。GaN晶粒薄层在升温的条件下进行再结晶反应，GaN晶粒的状态更稳定。再结晶反应后的GaN晶粒薄层内的热应力会在低温条件下进行释放，质量进一步提高。重复以上步骤直至在衬底上得到三维成核层，三维成核层每一层的质量均得到保证，使得在三维成核层上生长的非掺杂GaN层、n型GaN层、发光层、p型GaN层也可以得到提高，最终提高外延片整体的晶体质量，提高外延片制备得到的发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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