[发明专利]三维石墨烯泡沫为基底的钼酸钴纳米片阵列电极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010612377.8 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN111899981A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 任晶;樊泽文;任瑞鹏;张发;吕永康 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 翟冲燕 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明属于超级电容器电极材料的制备技术领域，提供一种以三维石墨烯泡沫为基底的钼酸钴纳米片阵列超级电容器电极材料及其制备方法和应用，分别以泡沫镍和甲烷为基底和碳源，通过化学气相沉积法在泡沫镍表面负载石墨烯，盐酸刻蚀镍得到石墨烯泡沫；以石墨烯泡沫为基底，硝酸钴，钼酸钠和水配制得到前驱体溶液，将石墨烯泡沫与前驱体溶液混合进行水热反应即得3D‑graphene@CoMoO |
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| 搜索关键词： | 三维 石墨 泡沫 基底 钼酸 纳米 阵列 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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