[发明专利]发光二极管外延片的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010602786.X 申请日: 2020-06-29
公开(公告)号: CN112002786B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 葛永晖;王群;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/06
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 吕耀萍
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本公开提供了一种发光二极管外延片的制备方法,属于半导体技术领域。制备方法包括:提供反应室;将蓝宝石衬底放入凹槽内,并转动石墨盘;通过多个第一出气口向反应室内通入Ga源和载气,通过多个第二出气口向反应室内通入NH3和载气,在蓝宝石衬底上依次生成GaN缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层,有源层包括交替层叠的InGaN量子阱和GaN量子垒;生成GaN量子垒时,还通过第三出气口向反应室内通入NH3和载气,NH3和载气的总流量为50mL/min~250mL/min,NH3的体积占比为50%~70%,N2和H2的体积比为1:1~9:1。本公开可以改善外延片发光波长和发光亮度的一致性。
搜索关键词: 发光二极管 外延 制备 方法
【主权项】:
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