[发明专利]一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板有效

专利信息
申请号: 202010598519.X 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN113851485B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 王利忠;宁策;胡合合;周天民;宋吉鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/367;G09G3/20
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;陈丽宁
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供一种薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板,该薄膜晶体管包括:源极,包括源极走线和多个源极分支;漏极,包括漏极走线和多个漏极分支;栅极;半导体层,包括多个半导体分支;多个源极分支、多个漏极分支与多个半导体分支接触,分为多个单元;源极走线和漏极走线平行间隔设置,源极走线和漏极走线中的一个的数量m为大于或等于2的整数,另一个的数量n为大于或等于1的整数;多个单元排列为至少两个单元行,每一单元行内的源极分支连接同一根源极走线,每一单元行内的漏极分支连接同一根漏极走线。本公开提供的薄膜晶体管、栅极行驱动电路及阵列基板,解决薄膜晶体管源、漏极分支高聚集布置导致热量聚集的问题。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 栅极 驱动 电路 阵列
【主权项】:
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