[发明专利]制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202010589067.9 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111696868A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李泠;段新绿;卢年端;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管。所述方法包括：在绝缘层衬底上形成铟镓锌氧薄膜作为有源层；在有源层上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅电极；根据栅电极的图形，对栅介质层进行图形化；对有源层进行图形化；在绝缘层衬底和有源层上形成源漏电极；在绝缘层衬底、有源层、栅介质层、栅电极和源漏电极上形成钝化层；对源漏电极和栅电极上方的钝化层进行图形化，形成通孔，以露出源漏电极和栅电极的部分区域，形成共面型铟镓锌氧薄膜晶体管。本发明能够提高源漏区域与金属电极之间的接触面积，从而降低了器件源漏区域的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 共面型铟镓锌氧 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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