[发明专利]一种三维堆叠射频光模块制作方法有效
| 申请号： | 202010588608.6 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111653492B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/768;H01L25/16;G02B6/42 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维堆叠射频光模块制作方法，具体包括如下步骤：101)射频转接板制作步骤、102)散热转接板制作步骤、103)多层键合步骤、104)封盖转接板制作步骤、105)芯片联通步骤、106)模组键合步骤；本发明通过多层堆叠工艺把面积较大的芯片上下放置，通过TSV工艺把芯片的电信号引出，然后在模组的顶部设置光电芯片，把射频信号通过光信号的方式传出或者接入，这样可以大大增加光模块的集成度的一种三维堆叠射频光模块制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 堆叠 射频 模块 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
